**課程影片總時長為30分鐘, 內容包含半導體故障分析, 以英文授課(搭配英文字幕), 投影片內容為英文撰寫。

本課程探討用於分析和診斷半導體元件故障的基本技術和方法。我們將深入研究電性和物性故障分析，使您掌握有效識別和理解裝元件故障根本原因所需的知識和技能。

本課程內容：
失效分析流程：每種失效分析技術的原理、特性、限制和應用。
非破壞性分析 (NDA)：光學顯微鏡 (OM)、反射性超音波 (C-SAM)、穿透性超音波 (T-SAM)、X射線（2D/3D）技術。
電性失效分析 (EFA)：I-V曲線、Obirch法、InGaAs EMMI、Thermal EMMI、原子力顯微鏡 (AFM)、奈米探針技術。
物性失效分析 (PFA)：去層(decap)、離子束剖面研磨 (CP)、研磨、掃描電子顯微鏡 (SEM)、透射電子顯微鏡 (TEM)、聚焦離子束 (FIB)、能量色散X射線光譜 (EDS)、二次離子質譜 (SIMS)、俄歇電子能譜 (AES) 技術。

課程目標：
了解失效分析在半導體產業的重要性。
學習關鍵的分析步驟和工具。
取得產業故障分析工具和分析流程的實務經驗。

學習成果：
將故障分析原理應用於您的工作。
學習如何建立系統化的故障分析方法，包括制定清晰的工作流程和定義具體的分析步驟。