**課程影片總時長為1小時, 內容包含平面電晶體與FinFET之製程整合, 以中文授課/中文字幕, 投影片內容為英文撰寫。
第1章_引言
第2章_簡介
2.1節: 製程流程概述
2.2節: 製程4大模組
第3章_平面電晶體之前段製程(FEOL)
3.0節: FEOL簡介
3.1節: STI製程
3.2節: Well製程
3.3節: 閘極製程
3.4節: LDD/Spacer/源汲極製程
3.5節: 其他離子植入製程
第4章_平面電晶體之後段製程(BEOL)
4.0節: BEOL簡介
4.1節: 金屬矽化物(Silicide)製程
4.2節: ILD/Contact製程
4.3節: M1/IMD1製程
4.4節: Via1/M2/雙鑲嵌製程
4.5節: 保護層/鋁墊製程
第5章_高介電常數金屬閘極(High-K Metal Gate)技術
5.0節_HKMG技術簡介
5.1節_HKMG前段製程
5.2節_HKMG後段製程
第6章_鰭式場效電晶體(FinFET)
6.1節_何謂FinFET及其優點
6.2節_FinFET製程流程簡介
第7章_FinFET前段製程(FEOL)
7.0節_FinFET前段製程(FEOL)簡介
7.1節_Fin(鰭)製程
7.2節_STI(淺溝槽隔離)製程
7.3節_Well(井)製程
7.4節_Gate(閘極)製程
7.5節_LDD/Spacer/源汲極/金屬矽化物製程
7.5節(補充)_應變矽製程
7.6節_HKMG製程
第8章_FinFET中段製程(MEOL)
8.0節_FinFET中段製程(MEOL)簡介
8.1節_接觸層(Contact)製程
第9章_FinFET後段製程(BEOL)
9.0節_FinFET後段製程(BEOL)簡介
9.1節_IMD/ Via-0/ M1製程
9.2節_Via-1/ M2/… / Passivation/ AP製程
第10章_展望與祝福