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新電子 Micro-Electronics 12月號/2020 第417期

新電子 Micro-Electronics 12月號/2020 第417期

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出版日期:2020/12/03
出版:城邦文化 / 新電子
語言:繁體中文(台灣)
頁數:140
ID:212636
產品類型:電子書
檔案格式:PDF(適合平板)
下載選項:Adobe DRM

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內容簡介

產業鏈上下游全員動起來 寬能隙功率元件市場起飛

化合物半導體種類繁多,但近年來話題最熱的,仍屬與功率相關的氮化鎵(GaN)與碳化矽兩種寬能隙半導體材料。這兩種材料本身也有很多變形,例如GaN on Si、GaN on Sapphire、GaN on SiC、SiC on Diamond等,但其中仍以用來製造電源元件的GaN on Si與SiC最受關注,其他材料組合則是以高功率射頻(RF)應用為主。

由於電源是所有電子設備都不可或缺的要素,且在電氣化的發展趨勢下,許多原本不是由電力驅動的應用,例如各式各樣的交通載具,也都改用電力來驅動。因此,電源技術的進展,不僅有助於提高現有的電子應用產品的能源效率,更可為電子技術開創出新的應用。這也是碳化矽、氮化鎵功率元件,會比射頻應用受到更多關注的原因。

※新電子科技雜誌簡介
新電子科技雜誌於1986年創刊,以台灣資訊電子上下游產業的訊息橋樑自居,提供國際與國內電子產業重點資訊,以利產業界人士掌握自有競爭力。雜誌內容徹底執行各專欄內容品質,透過讀者回函瞭解讀者意見,調整方向以專業豐富的內容建立特色;定期舉辦研討會、座談會、透過產業廠商的參與度,樹立專業形象;透過網際網路豐富資訊的提供,資訊擴及華人世界。更多資訊請參考:http://www.mem.com.tw"

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